Bài giảng Kỹ thuật điện điện tử - Chương 09: Transistor - Các phương pháp phân cực

Nội dung text: Bài giảng Kỹ thuật điện điện tử - Chương 09: Transistor - Các phương pháp phân cực

1. 318 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 Nguồn áp AC tạo ra dòng AC qua cực nền dẫn đến dòng AC qua cực thu. Dòng AC qua cực thu tạo áp AC ngang qua điện trở . Tác động của RC transistor trong trường hợp này khuếch đại tín hiệu AC cấp vào cực nền và được đưa ra trên điện trở . Cần nhớ áp AC RC nhận trên đảo pha so với áp RC AC cấp vào trên cực nền. Do mối nối nền phát phân cực a./ Áp AC và áp DC phân cực đấu nối tiếp b./ Dạng áp AC vào và thuận nên điện trở nội xét đối áp AC ra trên cực thu. với tín hiệu AC có giá trị rất HÌNH H 9.19 thấp. Gọi là điện trở nội cực phát xét đối với tín hiệu AC, dòng cực phát tính đối với áp AC là: r'e v b (9.9) iiec r'e Áp AC trên cực thu là bằng với áp AC đặt ngang qua hai đầu điện trở : vC RC vR.iR.iCCcCe  Áp AC tại cực nền được xác định theo quan hệ: vvR.ibinBb được xem là áp AC ra của mạch khuếch đại. Tỉ số của áp và là độ lợp điện áp vC vC vb (hay hệ số khuếch đại áp) của mạch transistor. Av vR.iR cCeC (9.10) Av vr'.ir'beee Vì là điện trở ngoài và có giá trị rất lớn so với điện trở nội điện áp ra nhận được luôn RC r'e có biên độ rất lớn hơn so với điện áp cấp vào. THÍ DỤ 9.6: Cho mạch khuếch đại áp AC dùng transistor như trong hình H9.20; xác định độ lợi điện áp và áp ngõ ra; biết điện trở nội . r'e 50 GIẢI: Áp dụng quan hệ (9.10) ta có: R 1k C A20v r'e 50 Áp AC ngõ ra là : v A .v 20 100mV 2 V out v in HÌNH H 9.20 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
2. 320 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 THÍ DỤ 9.7: Cho mạch transistor như trong hình H9.22; xác định: a./ Áp khi VCE V0Vin b./ Dòng để transistor đạt trạng thái bảo hòa, biết IBmin , bỏ qua giá trị áp .  DC 200 VCE SAT c./ Giá trị cực đại của điện trở khi . RB V5Vin GIẢI: a./ Áp dụng quan hệ : , khi dòng VVR.ICE CC C C V0Vin qua cực nền , dòng  transistor ngưng I0AB I.I0ACDCB HÌNH H 9.22 dẫn; suy ra . VV10VCE CC b./ Khi bỏ qua ảnh hưởng của áp , dòng được xác định như sau: VCE SAT IBmin V 10 V CC I10mACSAT  R1kC  ICSAT 10mA I0,05mA50ABmin  DC 200 c./ Giá trị cực đại của điện trở ; áp dụng phương trình cân bằng áp phía cực nền, ta có: RB VV Hay: BB BE VR.IVBB B B BE RB IB Suy ra: VVin BE 5V 0,7V R86kBmax  I50ABmin  THÍ DỤ 9.8: Cho mạch transistor như trong hình H9.23; trong đó đèn LED (Light - Emitting Diode) là diode phát quang khi được phân cực thuận và sẽ không phát sáng khi phân cực nghịch hoặc không được phân cực. Cho dòng điện qua LED khi phát sáng là 30 mA. Áp cấp vào cực nền có dạng xung chữ nhựt. Biết: ; ; ; V9VCC V0,3VCE SAT RC  270 ; . R3,3kB   DC 50 Xác định biên độ của sóng xung chữ nhựt đủ để transistor bảo hòa. Khi tính toán chọn dòng điện qua cực nền bằng 2 lần giá trị để đảm IBmin bảo transistor bảo hòa hoàn toàn. HÌNH H 9.23 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
3. 322 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 HÌNH H 9.26: Cấu tạo của Transistor package, nhiều transistor chứa trong cùng một vỏ. HÌNH H 9.27: Transistor có công suất trung bình đến công suất lớn (Transistor công suất). Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
4. 324 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 a./ Mạch phân cực b./ Họ đặc tuyến cực thu HÌNH H 9.30: Phân cực transistor dùng đồ thị HÌNH H 9.31: Phân cực thay đổi điểm làm việc Q của transistor. Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
5. 326 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 9.4.1.4. VÙNG LÀM VIỆC TUYẾN TÍNH Vùng dọc theo đường tải DC từ vị trí bảo hòa đến vị trí ngưng dẫn được gọi là vùng làm việc tuyến tính của transistor. Khi transistor hoạt động trong vùng này, điện áp ra được tái tạo một cách tuyến tính với điện áp vào. Trong hình H9.34 trình bày một thí dụ về hoạt động của transistor trong vùng tuyến tính. Khi chưa cấp áp vào cực nền, điểm làm việc Q được xác vin định qua các phép tính sau: VV 3,7V 0,7V BB BE IBQ  300 A R10kB  HÌNH H 9.34: ICQ  DC .I BQ 100 300  A 30mA VCEQ V CC R C .I CEQ 10 V 30mA . 220  3,4 V Giả sử áp sin ngõ vào xếp chồng với áp vin phân cực tạo thành VBB dòng sin tại cực nền có biên độ là 100 A dao động quanh điểm làm việc Q có dòng . Sự kiện IBQ 300 A này đưa đến dòng cực thu có biên độ là 10mA dao động quanh điểm làm việc Q có dòng . Với sự thay I30mACQ đổi của dòng cực nền và dòng cực thu khi cấp áp sin dẫn đến áp giữa cực thu và phát có biên độ là dao động quanh 2,2 V điểm làm việc Q có HÌNH H 9.35: . V3,4VCEQ Điểm A trên đường tải DC trong hình H9.35 ứng với đỉnh dương của áp sin vào . vin Điểm B trên đường tải DC trong hình H9.35 ứng với đỉnh âm của áp sin vào . vin Điểm Q trên đường tải DC trong hình H9.35 ứng với điểm 0 của áp sin vào . vin , và làm thông số của điểm làm việc DC khi không cấp áp sin vào cực nền. VCEQ ICQ IBQ Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
6. 328 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 Dòng cực thu : ICDCB  .I 200. 0,1979mA  39,6mA Áp DC đặt ngang qua cực thu và cực phát: VCE V CC R C .I C 20 V 330  . 39,6mA  6,93V Điểm làm việc Q của transistor có giá trị là : và I39,6mACQ V6,93VCEQ Khi transistor ngưng dẫn ta có : I0ACcutoff V 20 V Khi transistor dẫn bảo hòa, ta có: CC ICSAT  0,0606 A  60,6mA RC 330  Với kết quả tính toán được, ta xác định vị trí điểm làm việc Q trên đường tải DC, xem hình H9.39. Điểm làm việc Q được chọn gần vùng bảo hòa, muốn áp ra không sái dạng ta cần có biên độ của dòng xoay chiều qua cực thu giới hạn trong phạn vi . IIC CSAT I CEQ IIC CSAT I CEQ 60,639,621mA Biên độ đỉnh của dòng xoay chiều cấp vào cực nền không tạo sái dạng được xác định theo quan hệ sau: I 21 HÌNH H 9.39 C IB 0,105mA DC 200 9.4.2. PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP: Trong các nội dung trên, chúng dùng hai nguồn DC độc lập để phân cực transistor. Trong thực tế chỉ cần dùng duy nhất một nguồn DC phân cực cho transistor, xem hình H9.40. Trong các đồ mạch nguyên lý để đơn giản hóa, ta thay thế ký hiệu của nguồn áp DC bằng ký hiệu vòng tròn có ghi cực tính nguồn áp phân cực . VCC Điện áp phân cực tại cực nền được cung cấp bằng cầu phân áp dùng điện trở và , với nguồn áp DC cấp vào cầu R1 R2 phân áp là . Trong hình H9.40, có hai dòng nhánh từ nút A đi VCC xuống điểm Gnd (Ground) chung của mạch: một dòng đi qua và R2 thành phần dòng nhánh còn lại qua nối nối BE của transsistor và . RE Nếu dòng qua cực nền rất nhỏ so với dòng qua , mạch phân R2 cực xem như chỉ phụ thuộc vào cầu phân áp bao gồm các điện HÌNH H 9.40 trở và . R1 R2 Trong trường hợp dòng cực nền không đủ nhỏ để bỏ qua khi so sánh với dòng qua , R2 ta cần chú ý đến điện trở nhập tại cực nền RINbase ; điện trở này xuất hiện giữa cực nền đến điểm Gnd và song song với điện trở , xem hình H9.41. R2 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
7. 330 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 Áp dụng cầu phân áp xác định điện áp là áp từ cực nền xuống đến Gnd. VB R.VBG CC VB (9.23) RRBG 1 Từ kết quả này chúng ta suy ra các đại lượng khác còn lại trong mạch bằng các quan hệ sau đây: (9.24) VVVEBBE là áp từ cực phát xuống đến Gnd. VE HÌNH H 9.44 VE IE (9.25) RE Dòng qua cực phát thỏa quan hệ : I1  IIII CD I. C (9.26) ECBC C DC DC Khi , ta xem như , từ đó suy ra áp giữa hai cực thu phát của transistor: DC 1 IIEC (9.27) VVR.IVVVR.ICE CC C C  E CC E C E THÍ DỤ 9.11: Xác định điểm làm việc của mạch transistor trong hình H9.45, biết hệ số khuếch đại .  DC 100 GIẢI Điện trở nhập từ cực nền: RINbase  DC .R E 100. 560   56k Điện trở tương đương từ cực nền đến Gnd: R.R 56k . 5,6k INbase 2 RBG  5,091k RR56k5,6kINbase   2 Áp từ nền xuống Gnd: VB HÌNH H 9.45 R.V 5,091k .10 V BG CC VB  3,373V RBG   R 1 5,091k 10k Áp từ phát xuống Gnd: VE VEBBE V V 3,373 0,7 2,673V Dòng : IE V 2,673V E I4,77mAE RE 560  Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
8. 332 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 THÍ DỤ 9.12: Tính lại điểm làm việc của mạchđiện transistor cho trong thí dụ 9.11 bằng phương pháp áp dụng mạch Thévénin tương đương thay thế cho mạch phân cực dùng cầu phân áp. GIẢI 5, 6 k .10 V R.V2CC Áp Thévénin tương đương: VTH  3,5897 3,59 V RR12   10k5,6k Điện trở Thévenin tại cực nền của transistor: R.R 10 k . 5,6 k 12 RTH  3,5897 3,59 RR12   10k5,6k Dòng qua cực nền: VV 3, 59 V 0, 7 V TH BE IB 0,048mA RTH  DC 1 .R E 3,59k  100 1 .560  Dòng qua cực thu: ICDCB  .I 100. 0,048mA 4,8mA Dòng qua cực phát: IECB I I 4,8mA 0,048 4,848mA Áp giữa cực thu và cực nền của transistor: VCE V CC R C .I C R E .I E  10 1k . 4,8mA 560  . 4,848mA 2,49 V So sánh các kết quả tính toán trong hai thí dụ 9.11 và 9.12 cho thấy: điểm làm việc có giá trị các thông số chênh lệch rất nhỏ có thể chấp nhận. Kết quả tính toán hội tụ. 9.4.2.4. KHẢO SÁT TÍNH ỔN ĐỊNH CỦA MẠCH PHÂN CỰC DÙNG CẦU PHÂN ÁP : Từ phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin, dựa vào các quan hệ (9.30) và (9.31) ta có: R V.IVR.I TH (9.33) TH  1 E BE E E DC VV TH BE (9.34) IE R TH R  1 E DC RTH Khi ta cóR quan hệ (9.34) được viết lại như sau: E  1 DC VVTH BE IE  (9.35) RE Trong quan hệ (9.35) cho thấy dòng không phụ thuộc vào hệ số . Như vậy khi nhiệt IE DC độ thay đổi, hệ số thay đổi theo nhiệt độ nhưng dòng không thay đổi. Nếu dòng DC IE IIEC IB rất nhỏ; mạch phân cực có tính ổn định nhiệt vì điểm làm việc không phụ thuôc vào nhiệt độ. Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
9. 334 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 Từ giá trị tìm được cho dòng qua cực phát ta suy ra dòng qua cực thu theo quan hệ: IE  I. DC I (9.41) CE  1 DC Cuối cùng áp giữa cực phát và thu xác định theo quan hệ sau: (9.42) VVR.IEC E C C Tương tự như trường hợp transistor npn, với transistor pnp ngoại trừ phương pháp dùng tông trở nhập như vừa trình bày ta cũng có thể áp dụng phương pháp dùng mạch tương đương Thévénin để xác định điểm phân cực. THÍ DỤ 9.13: Áp dụng phương pháp giải tích dùng tổng trở nhập tương đương tại cực phát và cực nền định điểm làm việc cho transistor pnp trong mạch phân cực dùng cầu phân áp hình H9.49. GIẢI Đầu tiên xác định điện trở nhập tại các cực phát và nền: RIN  DC .R E 150.1k   150k Điện trở tương đương giữa hai cực phát và nền khi có thêm cầu phân áp: R 10k R9,375k 2  EB R 10k 1 2 1  .R 150.1k HÌNH H 9.49 DC E Áp cấp vào cực nền: R.V 22k 10 V 1EE VB  7,0119 7 V R1EB   R 22k 9,375k Áp đặt vào cực phát: VVVEBEB 70,77,7V Dòng qua cực phát: VV 10 V 7,7 V EE E I2,3mAE R1kE  Dòng qua cực thu:  150 I  DC .I 2,3 2,284768 2,285mA CE  1 150 1 DC Áp giữa các cực phát thu của transistor: VEC V E R C .I C 7,7V 2,2k  . 2,285mA 2,673V Tóm lại điểm làm việc của transistor pnp là: ICE 2,29mA ; VC 2,67V Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
10. 336 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 9.4.3.PHÂN CỰC CỰC NỀN (BASE BIAS): Phương pháp phân cực này thường được áp dụng trong các mạch điều khiển (hay lái – driver) các relay điện từ. Mạch phân cực cực nền trình bày trong hình H9.51. Phương pháp phân cực transistor hoạt động trong vùng tuyến tính được trình bày sau đây. Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu nền ta có quan hệ sau: (9.43) VR.IVCC B B BE Dòng qua cực nền được xác định theo quan hệ: HÌNH H 9.51 VV CC BE (9.44) IB RB Từ quan hệ (9.44) suy ra quan hệ dùng xác định dòng qua cực thu : VV I.I  CC BE .  (9.45) CDCB R DC B Áp dụng định luât Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu phát ta có quan hệ sau: VR.IVCC C C CE Hay: VVR.ICE CC C C (9.46) Từ quan hệ (9.45) cho thấy dòng phụ thuộc vào hệ số khuếch đại . Do đó khi IC DC nhiệt độ thay đổi, hệ số thay đổi làm dòng thay đổi tương ứng; như vậy điểm làm việc DC IC của transistor thay đổi, mạch phân cực không ổn định khi nhiệt độ môi trường thay đổi. Hơn nữa với các transistor có cùng mã số nhưng do phương thức sản xuất của nhà chế tạo, hệ số của các transistor này cũng thay đổi trong phạm vi khá rộng làm ảnh hưởng đến mạch phân DC cực. Trong quá trình sửa chửa, với mạch phân cực cực nền khi thay thế các transistor bị hư hỏng, nên điều chỉnh lại các điện trở cho phù hợp với giá trị của transistor mới dùng thay thế. DC THÍ DỤ 9.15: Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực theo hình H9.52 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay đổi, nếu hệ số tăng từ 85 đến 100 thì áp giảm từ 0,7 V đến 0,6 V. DC VBE GIẢI Xác định điểm làm việc tại lúc và :  DC 85 V0,7VBE Áp dụng các quan hệ (9.45) và (9.46) ta có: VV 12 V 0,7 V I  CC BE . .85 9,605mA C1 RDC 100k B V V R .I 12V 560  . 9,605mA  6,62 V HÌNH H 9.52 CE 1 CC C C Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
11. 338 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 Dòng qua cực thu là:  I. DC I CE  1 DC Áp dụng định luật Kirchhoff áp cho mắt lưới chứa cực thu và phát ta có quan hệ sau: (9.49) VVVR.IR.ICC EE CE C C E E Suy ra: VVVR.IR.ICE CC EE C C E E (9.50) Trong quan hệ (9.48) dòng phụ thuộc hệ số và áp . Khi chọn giá trị IE DC VBE RB R , quan hệ (9.48) được viết lại như sau: E  1 DC VV EE BE (9.51) IE  RE Từ quan hệ (9.51) cho thấy dòng độc lập đối với hệ số khuếch đại IE DC Hơn nữa khi chọn giá trị rất lớn hơn so với quan hệ (9.51) được viết lại như sau: VEE VBE V EE (9.52) IE  RE RB Tóm lại khi thực hiện đúng điều kiện R và VV , dòng I không E  1 EE BE E DC phụ thuộc vào sự thay đổi của nhiệt độ , suy ra điểm làm việc ổn định khi nhiệt độ thay đổi . THÍ DỤ 9.16: Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực theo hình H9.54 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay đổi, nếu hệ số tăng từ 85 đến 100 thì áp giảm từ 0,7 V DC VBE đến 0,6 V. GIẢI Xác định điểm làm việc tại lúc và :  DC 85 V0,7VBE Áp dụng quan hệ (9.48) xác định dòng : IE VV 20 V 0,7 V I EE BE  1,7289 1,73mA E1 R 100k B 10k RE  1 85 1 HÌNH H 9.54 DC Dòng qua cực thu là:  85 I DC .I .1,7289  1,70885 1,71mA C1  1851E DC Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
12. 340 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 I Thay quan hệ: C va (9.53) ta có: IB DC I VR.IRR. C V (9.54) CC C C C B  BE DC Suy ra: RR VR CB .IV CC C C BE DC Tóm lại: VVCC BE IC (9.55) RR R CB C  DC Áp đặt ngang qua cực thu và phát được xác định theo quan hệ: VCE (9.56) VR.IIVCC C C B CE Hay: 1 VVR.1.I (9.57) CE CC C  C DC Từ quan hệ (9.55) cho thấy dòng điện cực thu phụ thuộc vào các thông số và . DC VBE RR Trong trường hợp CBvà , dòng điện cực thu viết gần đúng theo dạng sau: RC VVCC BE DC V CC điều này cho thấy dòng trong điều kiện này không thay đổi khi nhiệt độ thay đổi. IC  IC RC Tóm lại nếu mạch phân cực hồi tiếp cực thu thỏa các điều kiện vừa nêu thi điểm làm việc Q ổn định khi nhiệt độ thay đổi. THÍ DỤ 9.17: Xác định điểm làm việc của transistor trong mạch phân cực theo hình H9.56 khi nhiệt độ thay đổi. Biết rằng khi nhiệt độ thay đổi, nếu hệ số tăng từ 100 đến 125 thì áp giảm từ 0,7 V DC VBE đến 0,6 V. GIẢI Xác định điểm làm việc tại lúc và :  DC 100 V0,7VBE Áp dụng quan hệ (9.55) ta có: VV 10 V 0,7V I0,769mA CC BE  C1 RR 10k 100k  R CB 10k C 100 DC HÌNH H 9.56 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
13. 342 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 BÀI TẬP CHƯƠNG 9 BÀI TẬP 9.1 Trong hình H9.57, cho dòng điện I50AB  và áp đặt ngang qua hai đầu điện trở là 5V . Xác RC định hệ số và hệ số . DC DC ĐÁP SỐ:  100 ; 0,99 DC DC HÌNH H 9.57 BÀI TẬP 9.2 Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.58. Xác định : a./ Các dòng điện ; và . IC IB IE b. / Hệ số khuếch đại DC ĐÁP SỐ: a./ ; ; I34,04mAC IB  702 A I34,74mAE HÌNH H 9.58 b./  DC 48,49 BÀI TẬP 9.3 Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.59. Xác định : a./ Các điện áp ; và . VCE VBE VCB b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay trong vùng bảo hòa. ĐÁP SỐ: a./ ; . I1,1mAB I55,13mAC ; . V5,1VCE  V4,38VCB  HÌNH H 9.59 BÀI TẬP 9.4 Cho mạch phân cực transistor trong hình H9.60. Xác định : a./ Các điện áp ; và . VEC VEB VBC b./ Transistor hoạt động trong vùng tuyến tính hay trong vùng bảo hòa . ĐÁP SỐ: a./ ; . I85,19AB I10,65mAC  V3,85V ; V3,15V . EC BC HÌNH H 9.60 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
14. 344 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 BÀI TẬP 9.9 Cho mạch transistor trong hình H9.65, xác định: a./ Các giao điểm của đường tải DC với hệ trục tọa độ của đặc tuyến cực thu. b./ Điểm làm việc của transistor. ĐÁP SỐ: a./ ; . I20,5mACSAT V8VCE SAT b./ ; I6mAC V5,66VCE BÀI TẬP 9.10 HÌNH H 9.65 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.66. a./ Khi áp dụng phương pháp giải tích mạch dùng điện trở nhận tương đương giữa cực nền và cực phát, nếu muốn RINbase 10.R 2 thì hệ số khuếch đại của transistor là bao nhiêu? DC b./ Với mạch hiện có trong hình H9.66, khi thay điện trở bằng R2 biến trở , xác định giá trị cực tiểu của làm VR2 15k VR2 transistor bảo hòa. c./ Theo điều kiện của câu b, khi chỉnh biến trở có giá trị là 2kΩ; VR2 áp dụng các phương pháp phân tích mạch dùng tổng trở nhập và phương pháp thay thế tương đương Thévénin để định điểm làm việc HÌNH H 9.66 của transistor. BÀI TẬP 9.11 Cho mạch transistor phân cực dùng cầu phân áp theo hình H9.67, khi áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định: a./ Áp và điện trở tương đương . VTH RTH b./ Điểm làm việc của transistor. ĐÁP SỐ: a./ ; . V2,18VTH R11,37kTH  b./ ; I1,33mAC  V4,74VCE BÀI TẬP 9.12 Cho mạch transistor phân cực dùng HÌNH H 9.67 cầu phân áp theo hình H9.68, khi áp dụng phương pháp giải tích dùng mạch tương đương Thévénin để định điểm làm việc, xác định: a./ Áp điện áp giữa cực nền xuống điểm Gnd chung của mạch. VB b./ Điểm làm việc của transistor. c./ Công suất tiêu tán trên transistor. d./ Nếu tăng giá trị điện trở gấp 2 lần giá trị hiện có, định lại điểm RE làm việc của transistor. ĐÁP SỐ: a./ V10,41V b./ I1,56mA ; V8,3V B C EC HÌNH H 9.68 c./ d./ ; P13mWD IC  841 A V9,53VEC  Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009
15. 346 KỸ THUẬT ĐIỆN ĐIỆN TỬ – CHƯƠNG 9 ; ; VB  0,387 V VE  1,087 V V3,24VC  BÀI TẬP 9.15 Cho mạch transistor phân cực cực phát theo hình H9.71, biết hệ số khuếch đại của transistor là .  DC 100 a./ Tính điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch. b./ Tính công suất tiêu tán trên transistor theo điều kiện của câu a. ĐÁP SỐ: a./ ; ; ; IB  149,6 A IC  16,455mA IE  16,605mA ; ; ; V6,766VCE  VB  1,496 V V2,196VE  V4,57VC  b./ PD  111,33mW BÀI TẬP 9.16 Cho mạch transistor phân cực cực nền có hồi tiếp theo hình H9.72, xác định: a./ Điểm làm việc của transistor. b./ Điện thế tại các cực transistor so với điểm Gnd của mạch c./ Tìm giá trị để giảm dòng thấp xuông 25%. RC IC d./ Công suất tiêu tán trên transistor tính theo câu a và c. ĐÁP SỐ: a./ ; ; ; I11,7AB  I1,052mAC  VCE  1,086 V b./ ; ; V0,7VB V0VE VC  1,086 V c./ RC  2521 d./ ; P1,14mWD  P0,78mWD  HÌNH H 9.72 Đại học Bách Khoa Tp Hồ Chí Minh – Khoa Điện Điện Tử – Phòng Thí Nghiệm Máy Điện và Thực Tập Điện- 2009